Trong tuyên bố cùng đối tác Sandisk của Mỹ, Kioxia cho biết, so với công nghệ 218 lớp thế hệ thứ 8 hiện đang được sản xuất hàng loạt, công nghệ 332 lớp thế hệ thứ 10 có mật độ bit lưu trữ dữ liệu cao hơn 59%. Công nghệ mới cũng tiêu thụ ít điện hơn nên làm tăng hiệu suất năng lượng lên 10% cho dữ liệu đầu vào và 34% cho dữ liệu đầu ra.
Theo Kioxia, công ty sẽ sản xuất bộ nhớ flash tại Nhật Bản nhưng chưa đưa ra mốc thời gian cụ thể. Hiện các đối thủ cạnh tranh cũng đang phát triển công nghệ bộ nhớ flash trên 300 lớp.
Bộ nhớ flash NAND được cải thiện đáng kể về hiệu suất hoạt động thông qua cách xếp chồng các ô nhớ theo lớp. Tuy nhiên, chi phí để sản xuất bộ nhớ này hiện vẫn khá cao, tạo ra thách thức không nhỏ.
Kioxia cho biết, công ty đang phát triển bộ nhớ flash thế hệ 9, kết hợp công nghệ ô nhớ hiện có với một công nghệ mới nhằm cải thiện hiệu suất đọc và ghi dữ liệu.
Về kỹ thuật, bộ nhớ flash là một loại EEPROM - bộ nhớ đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Chúng có ô nhớ được lập bằng hai dạng cổng logic là NAND và NOR, cho phép đọc/ghi từng khối nhỏ hoặc theo từ của máy. Bộ nhớ này khác với EPROM - phải xóa toàn bộ hoặc khối lớn trước khi ghi mới.
Do là loại bộ nhớ không cần nguồn điện để duy trì dữ liệu với tốc độ đọc/ghi nhanh chóng, flash trở nên rất phổ biến hiện nay. Phổ thông nhất là các thẻ nhớ và ổ USB flash để lưu trữ, truyền dữ liệu giữa các máy tính và các thiết bị kỹ thuật số khác.
Flash có hai loại bộ nhớ đó là NAND và NOR. Người dùng sẽ thường thấy flash NAND nhiều hơn bởi đây là thành phần lưu trữ trên thẻ nhớ, USB, ổ cứng SSD hay chip nhớ trong điện thoại.
* Mời quý độc giả theo dõi các chương trình đã phát sóng của Đài Truyền hình Việt Nam trên TV Online và VTVGo!